El alivio fiscal implementado a nivel nacional por el Gobierno sobre celulares se verá amortiguado por el encarecimiento de la materia prima.
12/10/2025 – 09:38hs
La reciente medida del Gobierno nacional, orientada a reducir la carga impositiva sobre productos de electrónica con el fin de abaratar los precios de los celularescorre el riesgo de no reflejarse en el bolsillo de los consumidores.
Expertos de la industria, citados por el diario porteño Clarín, advierten que el impacto positivo de la baja de aranceles será casi completamente absorbido por una turbulencia de precios que tiene su origen en el mercado global de insumos.
El factor determinante es la crisis en los precios de las memorias, específicamente las DRAM y NANDconsiderados componentes centrales e irremplazables en la fabricación de dispositivos móviles. Estos insumos, cruciales para el almacenamiento y el rendimiento de los smartphones, han experimentado un aumento explosivo en sus costos.
El fenómeno está directamente ligado al boom global de la inteligencia artificial (IOWA). La inversión masiva y la creciente demanda de infraestructura necesaria para sostener las nuevas tecnologías de IA dispararon la escasez y el valor de estos chips.
En consecuencia, el alivio fiscal implementado a nivel nacional se verá amortiguado por el encarecimiento de la materia prima. Si bien la reducción de aranceles es una medida que técnicamente debería resultar en precios más bajos, la presión alcista del mercado internacional sobre los componentes esenciales se impondrá, frustrando la expectativa de una caída sustancial en el costo final de la telefonía celular para los usuarios.
Los pilares de la memoria móvil: DRAM y NAND Flash en su celular
Detrás de la fluidez con la que se navega por redes sociales, se ejecutan juegos exigentes o se toman fotografías de alta resolución en un celular, existen dos componentes de memoria Fundamentales que trabajan en tándem: la DRAM (memoria de acceso aleatorio dinámica) y la NAND Flash. Entender sus funciones es clave para comprender el rendimiento y la capacidad de almacenamiento de cualquier dispositivo móvil moderno.
La DRAM: El “escritorio” temporal del celular
La DRAM en un celular cumple el mismo papel crucial que en una computadora: es la memoria principal o volátil. Su función es actuar como un espacio de trabajo ultrarrápido donde el procesador (CPU) almacena temporalmente los datos e instrucciones que necesita para ejecutar las aplicaciones y el sistema operativo en ese preciso instante.
- Función principal: Almacenar datos de forma temporal para que el procesador pueda acceder a ellos de manera rápida. Permite la multitarea, es decir, que el teléfono pueda tener varias aplicaciones abiertas y funcionando simultáneamente de forma fluida.
- Volatilidad: Es su característica distintiva. La DRAM pierde toda la información almacenada tan pronto como se interrumpe el suministro de energía (por ejemplo, al apagar o reiniciar el teléfono).
- Velocidad y rendimiento: Es considerablemente más rápida que la memoria NAND Flash. Una mayor cantidad de DRAM (medida en Gigabytes, GB) se traduce en una mejor capacidad de respuesta y un manejo más eficiente de las aplicaciones pesadas.
La NAND Flash: El “archivo” de almacenamiento permanente
La memoria NAND Flash es el componente que los usuarios conocen como el almacenamiento interno del teléfono móvil. A diferencia de la DRAM, su función es retener la información de manera permanente.
- Función principal: Almacenamiento no volátil de larga duración. Aquí es donde se guardan permanentemente el sistema operativo, las aplicaciones instaladas, las fotos, los videos, los documentos y cualquier otro archivo del usuario.
- Sin volatilidad: Esta memoria conserva los datos incluso cuando el dispositivo está apagado y sin energía, lo que la hace ideal para el almacenamiento persistente.
- Tipos de NAND: La tecnología NAND ha evolucionado para aumentar la densidad y reducir costos. Hoy en día, las tecnologías más utilizadas en smartphones son la UFS (Universal Flash Storage), que ofrece velocidades de lectura y escritura muy superiores a las antiguas eMMC, y la NAND 3D, que apila celdas verticalmente para lograr mayores capacidades en el mismo espacio.
- Capacidad y costo: La capacidad de almacenamiento se mide en GB o Terabytes (TB), y su costo por gigabyte es significativamente menor que el de la DRAM, permitiendo los grandes volúmenes de almacenamiento que demandan los usuarios.
DRAM y NAND: dos caras de la misma moneda de rendimiento móvil
Cuando el usuario abre una aplicación, los datos e instrucciones de esa aplicación se copian de la NAND Flash (el almacenamiento permanente) a la DRAM (el espacio de trabajo temporal). El procesador trabaja entonces directamente con los datos en la DRAM por su alta velocidad. Cuando el usuario guarda un cambio o toma una foto, esa nueva información se mueve de la DRAM de vuelta al almacenamiento permanente de NAND Flash.
En resumen, la DRAM define qué tan rápido y fluido funciona el teléfono en el presentemientras que la NAND Flash determina cuántas cosas el celular puede almacenar a largo plazo.
La constante evolución de ambas tecnologías, como la DRAM de bajo consumo (LPDDR) y las memorias NAND ultrarrápidas (UFS), es lo que impulsa la mejora continua de la experiencia del usuario en la próxima generación de *smartphones*.
