La empresa sancionada por Estados Unidos está trabajando para patentar una técnica de integración de metales para la fabricación de semiconductores, que permite integrar estructuras metálicas estrechas utilizando tecnología ultravioleta profunda (DUV) incluso para “pasos de metal por debajo de 21 nm”, una característica requerida para los chips de clase de 2 nm.
La solución propuesta ofrecía una vía técnica para respaldar un proceso de 2 nm utilizando tecnología DUV más antigua, con el objetivo de evitar las sanciones estadounidenses que bloquean el acceso de China a las herramientas EUV más avanzadas de la empresa holandesa ASML.
La patente, actualmente pendiente, fue presentada originalmente por Huawei en junio de 2022 y hecha pública por el regulador nacional de propiedad intelectual de China en enero de este año. No hay pruebas de que se haya utilizado la patente.
En medio de crecientes conversaciones sobre los avances tecnológicos de China, un veterano de la industria china de chips argumentó que los chips lógicos de 14 nm podrían rivalizar con el rendimiento de los chips de 4 nm de Nvidia a través de la integración con memoria avanzada y una arquitectura novedosa.
Huawei se negó a comentar sobre la patente.
